被AI繁荣掩盖的中国半导体真实威胁

今年夏天的半导体新闻几乎全是“史无前例”的。

存储器价格飙升，今年上半年半导体占韩国出口总额的38.7%，三星电子和SK海力士两家公司的市值超过了KOSPI总市值的一半。

然而，9月初出现了一个性质完全不同的数据。

有消息称，中国长鑫存储（CXMT）的DRAM销售额份额首次达到10%。

繁荣与追赶同时发生，这让人感到有些矛盾。

翻开世宗研究所9月14日发布的政策简报《中国半导体崛起的现状与韩国的应对课题》，其中有一句话精准地指出了这种矛盾：

目前的AI需求与供应短缺正在吸收中国的扩产效应，因此这种压力并不明显。这意味着一旦需求降温，被掩盖的供应将瞬间显露出来。

如果仅用“技术差距几年”衡量中国半导体威胁，就会错过重点

如果仅以技术差距来衡量中国半导体，看到HBM（高带宽内存）就感到安心，就会忽略在通用市场正在发生的事情。

因为各领域的追赶速度完全不同。该简报将其称为**“NAND → 通用DRAM → HBM”顺序的非对称追赶**。

中国半导体各领域差距汇总如下：

领域 (中国代表企业)	当前位置	差距
NAND (YMTC)	267层量产，300层以上开发中	约1~2代
通用DRAM (CXMT)	G4(约16nm级)量产	约2~3代，按时间计约3~4年
HBM (CXMT)	HBM3试生产，HBM3E小批量生产	实际量产竞争力约3~5年

单看HBM，差距似乎还很大。

据SemiAnalysis推算，CXMT的HBM3 8层综合良率约为25%。这意味着投入四片晶圆只能产出一片合格品，在这种状态下，很难通过英伟达等客户的认证。

问题在于资金流转的结构。

对于通用DRAM和NAND，即使技术稍微落后，只要便宜、卖得多，市场份额就会上升。份额上升意味着量产经验积累，良率提升，成本下降，而这些资金又会重新投入到设备中。这就是简报所警告的循环。

在技术赶超之前，价格主导权可能就会先被动摇。

CXMT的DRAM份额10%从何而来

CXMT的DRAM市场份额来源于韩国厂商将产能倾斜至HBM后留下的通用DRAM空缺。

据Counterpoint Research统计，其份额从2025年一季度的3%上升至2026年一季度的8%，二季度达到10%。这已是去年同期（4%）的两倍多。

同期，SK海力士的份额从39%下降至25%。若全归咎于CXMT则有失公允。

三星电子从33%升至38%，美光也追至24%，这其中包含韩国厂商之间以及“三强”之间的排位竞争。简报也认为，美光（24%）与CXMT（10%）的差距依然较大，这并非“四强格局”，而是“三强格局”开始出现裂痕的初期阶段。

尽管如此，裂痕正在迅速扩大。

9月20日，CXMT宣布第五代(G5) DRAM平台进入量产阶段。据称单片晶圆的芯片产出量增加了50%以上。简报发布时还处于“G5开发中”，仅过一周就前进了一步。不过，CXMT并未公开G5的良率和单颗芯片成本。

以今年一季度为准，有评估认为CXMT的单位比特成本比领先的三大厂商高出30%以上。芯片产出增加并不意味着成本会以相同比例下降。

销售渠道也在拓宽。据报道，惠普、华硕、宏碁已开始在非美国市场的笔记本电脑中使用CXMT DRAM，苹果也曾传出考虑采购的可能性。苹果的情况尚未确认是否已实际供应。

来源: 2x910 / Wikimedia Commons, CC BY-SA 4.0

为什么AI繁荣掩盖了中国半导体的供应增加

目前市场处于“造多少卖多少”的状态，因此谁在多生产多少并没有反映在价格上。这正是本文最想表达的观点。

根据基于WSTS资料的简报估算，全球存储市场将从2024年的1655亿美元增长到2026年的约9246亿美元，规模扩大5.6倍。存储器在整体半导体中的占比将从26.3%跃升至约55.9%。当需求爆发到这种程度时，即便中国多开几条产线，市场也能全部消化。价格反而上涨，韩国厂商的业绩也创下历史新高。这是一种追赶的痕迹无法在业绩表上体现出来的结构。

但如果看向产能预测，情况就会发生变化。

CXMT的DRAM产能将从12英寸折合月产能26.5万片（14%）增加到2028年的50万片（18%）。

三星电子虽然从70.5万片增加到88万片，但占比将从38%降至32%，SK海力士也将从29%降至27%。在NAND领域，YMTC的份额将从11%上升至16%。韩国厂商也在建厂，但中国建得更快。

坦率地说，比起“CXMT占比10%”这个标题，这个预测数据更令我感到毛骨悚然。

因为市场份额是已经发生的结果，而产能则是未来将要发生的事。

真正的问题在于需求下行之时。

存储市场本身就有繁荣与萧条的周期，萧条时厂商通常通过减产来维持。但中国厂商背靠政策性金融和地方政府支持，可以将市场份额优先于短期利润。

即便是萧条期，如果它们推迟减产，通用DRAM和NAND的价格就会长期在底部徘徊。

简报将这一路径比作显示器产业。那是中国凭借规模优势将处于领先地位的韩国挤出LCD市场的路径。

15%的门槛，YMTC比CXMT更先触及

存储行业有一条衡量后发厂商能否生存的界限。

这就是Counterpoint Research提出的比特份额约15%。一旦跌破这条线，就无法赚取投入下一代工厂所需的资金。

其依据是2008年的中国台湾。当时台湾DRAM厂商的市场份额跌破15%，无法筹措下一代投资资金，最终沦为仅占3%份额的利基市场厂商。

存储器是一个每跨越一代工艺就需要万亿级设备投资的产业，一旦错过，几乎无法追赶。

以此标准来看，更接近这一门槛的并非CXMT，而是YMTC。

YMTC今年二季度以NAND比特出货量为准达到了14%，超越铠侠首次升至全球第三。按销售额计算也达到14%，与铠侠持平，距离美光（15%）仅差1个百分点。CXMT的DRAM销售额占比为10%，按比特计算约为9%，Counterpoint预计其2028年的比特份额约为11%。

YMTC也有弱点。

产品以消费级为主，高利润的数据中心用eSSD占比偏小。二季度整体NAND出货量的48%为服务器用eSSD，这意味着在赚钱的市场中，其存在感依然较弱。

美国制裁带来的悖论：助推了中国半导体设备的国产化

美国的出口管制虽然在阻止中国获取最尖端技术方面有一定效果，但同时也成了中国必须使用本国设备的最强理由。

根据引用Yole Group分析的AnySilicon资料，中国半导体设备国产化率从2021年的8%上升至2025年的23.2%，预计2030年将达到约39%。

中国政府的施压也起到了一定作用。有报道称，新建或扩建的半导体工厂如果想获得批准，需要满足至少50%新设备由国产设备填充的要求。虽然没有公开文件，但据说如果不符合该标准，审批通常会被拒绝。

结果直接体现在了海外设备公司的财报上。

KLA的中国营收占比从42.8%（2024财年）降至29.8%（2026财年），泛林集团从42%降至34%，应用材料从37%降至30%，ASML从36.1%降至29.1%。这一空缺被中国设备商填补。

北方华创在全球设备销售榜单中的排名从2022年的第8位升至2025年的第5位。

但这并不意味着中国的发展畅通无阻。

作为最尖端技术的关口，EUV光刻机依然难以逾越。路透社称之为“中国版曼哈顿计划”的EUV国产化尝试在2025年初虽然成功研发出光源原型机，但未能进行芯片生产。政府目标是2028年，但项目相关人士认为2030年前后才更现实。

也有投入巨资却失败的案例。武汉弘芯（HSMC）计划投资1280亿元，实际投入约153亿元后，业务被迫中断并清算。

在HBM繁荣期，韩国还有多少时间？

简报的政策建议最终汇聚于一点。

利用目前HBM带来的时间和资金去创造下一个差距。

简报警告称，如果繁荣掩盖了结构性变化，组织容易产生松懈，生产基地、零部件材料、人才投资可能会被推后。

其中有两条建议特别值得关注。

第一，不要放弃通用存储器。

通用DRAM和NAND虽然看起来利润率不如HBM，但它们是通过大规模生产积累工艺经验并创造现金流的基础。

只有守住能在价格崩盘阶段支撑下去的成本结构和核心客户，才能为尖端技术投入资金。

前面提到的15%门槛并非只针对中国。

第二，人。据业界推测，在CXMT工作的韩国人超过200名。

半导体是提升良率的诀窍、设备条件等隐性知识留在人脑中的产业。

一旦核心人才流失，几年积累的试错经验也会随之转移。

这就是简报建议从国家安全层面管理人才的原因。

时间也不充裕。

今年1-7月，韩国存储半导体出口的30.1%流向了中国。

中国客户更换为CXMT和YMTC的选择越多，这30.1%的谈判能力就会越弱。

此外，SK海力士DRAM的约35~40%、NAND的约40~45%在中国无锡和大连工厂生产，三星电子也有约30~35%的NAND在西安生产，这些指标对于韩国来说绝非利好消息。