실리콘 vs 질화갈륨: 스위칭 속도가 만드는 연쇄 효과
실리콘 vs 질화갈륨: 스위칭 속도의 연쇄 효과
밴드갭이 넓을수록 충전기 안 트랜스포머가 작아지는 이유
실리콘
1.1 eV
밴드갭 (에너지 장벽)
↓
약 65 kHz
표준 스위칭 주파수
↓
더 큰 트랜스포머·자성 부품 필요
질화갈륨
3.4 eV
밴드갭 (에너지 장벽)
↓
130~300 kHz
구현 가능한 스위칭 주파수
↓
트랜스포머·자성 부품 대폭 축소
기준
부피·발열
−40%
동급 실리콘 대비 부피
발열 −30%