シリコン vs 窒化ガリウム: スイッチング速度が生み出す連鎖効果
シリコン vs 窒化ガリウム: スイッチング速度の連鎖効果
バンドギャップが広いほど充電器内のトランスが小さくなる理由
シリコン
1.1 eV
バンドギャップ (エネルギー障壁)
↓
約 65 kHz
標準スイッチング周波数
↓
より大きなトランス・磁性部品が必要
窒化ガリウム
3.4 eV
バンドギャップ (エネルギー障壁)
↓
130~300 kHz
実現可能なスイッチング周波数
↓
トランス・磁性部品を大幅に小型化
基準
体積・発熱
−40%
同クラスのシリコン比の体積
発熱 −30%