硅 vs 氮化镓：开关速度带来的连锁效应
硅 vs 氮化镓：开关速度的连锁效应
带隙越宽充电器内变压器越小的原因
硅
1.1 eV
带隙（能垒）
↓
约 65 kHz
标准开关频率
↓
需要更大的变压器·磁性元件
氮化镓
3.4 eV
带隙（能垒）
↓
130~300 kHz
可实现的开关频率
↓
变压器·磁性元件大幅缩小
基准
体积·发热
−40%
相比同级硅的体积
发热 −30%